技术参数：
磁控溅射系统
4-6个磁控靶台
DC源
RF源
Ar气气氛控制
真空度10^-10Torr
1"-4" Substrate

 主要特点：
超高真空磁控溅射
全部配备国外最先进泵组保证稳定的真空
稳定工作状态
实现磁控溅射方式的分子级薄膜生长