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脉冲-气相色谱法测定单晶硅中氢
提 供 商: 大连宇科仪器有限公司
资料大小: 132K
发布时间: 2004-06-14
浏览次数: 1016
资料介绍
脉冲加热气相色谱法
脉冲-气相色谱法测定单晶硅中氢 氢气的释放:将样品在高温石墨坩埚中熔化,其反应为: SiH4+C→SiC+2H2↑ MHx→M+X/2 H2↑ 式中M为金属中杂质 自装脉冲—气相色铺测定单晶硅中氢,其操作方便、分析速度快、重视性好、定性结果明显。他的原理和方法同SQM-1脉冲加热气相色谱仪,如用SQM-1型脉冲色谱仪测定,其效果会更好。
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