帐号：
密码：
技术
技术文档

Cr－AlN界面的二次离子质谱研究

作者：岳瑞峰 王佑祥 陈春华 2007-06-25 点击1493

采用电子束蒸发的方法在200 ℃抛光的氮化铝(AlN)陶瓷衬底上淀积200 nm的Cr膜，并在高真空中退火。利用MCs＋－SIMS技术(在Cs＋一次离子轰击下检测MCs＋型二次离子)对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。结果表明，MCs＋ button