关于半导体传感器的介绍

作者：未知 2009-08-27 点击432

1953年，人们发现，金属氧化物半导体的表面在吸收气体后，电阻作用发生了很大的变化，这意味着合金氧化物半导体传感器（MMOS）技术的。商业几种氧化物气体（巨大变化使用MMOS氧化物Cr₂TiO₃ 、WO₃和SnO₂）。

由电子被吸附的氧气目标气体。如果氧化物是n，（减少气体）或（气体）。n氧化物气体譬如O₃减少气体譬如CO 、CH₄EtOH。p氧化物如Cr₂TiO₃，价带气体互作用导致或（气体）或减少（减少气体）。其它气体，MMOS定量。

因为变化在电子抵抗上在感觉的氧化物由表面反应造成，它是有利最大化表面增强对气体的反应。相应地，商业气体传感器采取高度多孔氧化物层的形式，或打印得下来或被放置铝土芯片。电极通常是co-planar和位于oxide/chip接口。加热器轨道通常是还存在在芯片的后侧方保证传感器奔跑 “ hot ” 。这是一个必要的要求作为干涉从湿气减到最小并且反应的速度被增加。

MMOS 传感器通常不歧视在不同的目标气体之间。同样地，可观的被保重保证氧化物的微结构，它的厚度并且它的连续温度被优选改进选择性。另外，选择性被提高进一步通过对催化作用的添加剂的用途对氧化物、防护涂层和激活碳过滤器。

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